氧化镓,99.8% metals basis

产品编号： 1786436 纯度：99.8% metals basis CAS：12024-21-4

英文名称：Gallium oxide, 99.8% metals basis

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产品名称：Gallium oxide, 99.99% 纯度：99.99%

产品编号：1239586

CAS号：12024-21-4

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基本信息
属性
计算化学
参考文献
安全信息

产品编号

1786436

CAS 号

12024-21-4

英文名称

Gallium oxide, 99.8% metals basis

中文名称

氧化镓,99.8% metals basis

英文别称

中文别称

Smiles Code

O=[Ga][Ga]([O])[O]

MDL 号

MFCD00011020

分子式

Ga2O3

分子量

187.44

存储条件

纯度

99.8% metals basis

网页展示纯度为入库指导纯度值，各批次间存在一定差异，实际纯度以收货为准

熔点

沸点

闪点

旋光

描述

氧化镓（III）用于真空沉积。它可用于制造半导体器件、镓-氧化铝催化剂、气体传感器、发光磷光体和太阳能电池的介电涂层。用作电介质薄膜中 99.999% 的蒸发材料和溅射靶材。它显示出开发用于紫外光电子器件的深紫外 TCO（透明导电氧化物）和透明电极的潜力。最近的研究报告称，氧化镓可以成为电力电子设备的有力竞争者，例如在超高压电源开关应用中。由氧化镓制成的薄膜由于其气体敏感特性而获得了商业利益，而由氧化镓制成的玻璃是用于先进技术的首选光学材料。

展开

TPSA

56.87

LogP

-1.118

H_Acceptors

H_Donors

Rotatable_Bonds

[1]. Adrien Mekki-Berrada, et al. Design of amphoteric mixed oxides of zinc and Group 3 elements (Al, Ga, In): migration effects on basic features. Phys Chem Chem Phys. 2012 Mar 28;14(12):4155-61.

[2]. Christian A Nijhuis, et al. A molecular half-wave rectifier. J Am Chem Soc. 2011 Oct 5;133(39):15397-411.

[3]. Feng Shi, et al. Synthesis and characterization of beta-Ga2O3 nanorod array clumps by chemical vapor deposition. J Nanosci Nanotechnol. 2012 Nov;12(11):8481-6.

[4]. J B Varley, et al. Hydrogenated cation vacancies in semiconducting oxides. J Phys Condens Matter. 2011 Aug 24;23(33):334212.

[5]. Jae-Hong Jeon, et al. Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor. J Nanosci Nanotechnol. 2013 Nov;13(11):7535-9.

警示图

警示词

Warning

危险申明

H302-H315-H319-H335

警告申明

P261-P264-P270-P271-P280-P302+P352-P304+P340-P305+P351+P338-P330-P362+P364-P403+P233-P405-P501

GHS 编码

GHS07

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